[发明专利]一种外延碳化硅‑石墨烯复合薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种外延生长碳化硅‑石墨烯复合薄膜的制备方法，其包括如下步骤将预处理后的基底置于化学气相沉积腔体中，控制所述气相沉积腔体绝对真空度高于10‑4帕，1500～1600℃下在所述基底表面生长2～10微米的碳化硅外延层；控制所述化学气相沉积腔体的温度降低至1000℃，在保护气氛下对所述化学气相沉积腔体从1000℃加热升温至1600℃，使所述碳化硅外延层结构分解及重组，在所述基底上获得石墨烯复合层。该方法能够不完全依赖于价格昂贵的单晶SiC基底材料，而是采用高温化学气相沉积设备，实现碳化硅外延层‑石墨烯的连续生长。

主权项

一种外延碳化硅‑石墨烯复合薄膜的制备方法，其包括如下步骤：步骤一：将预处理后的基底置于化学气相沉积腔体中，控制所述化学气相沉积腔体的绝对真空度大于10‑4帕，1500～1600℃下在所述基底表面生长2～10微米的碳化硅外延层；步骤二：控制所述化学气相沉积腔体的温度降低至1000℃，在保护气氛下对所述化学气相沉积腔体采取阶梯式加热升温，使所述碳化硅外延层结构分解及重组，在所述基底上获得石墨烯复合层；所述阶梯式加热升温的具体操作为：控制所述化学气相沉积腔体温度升高至1100℃，并保持10分钟；控制所述化学气相沉积腔体温度升高至1200℃，并保持10分钟；控制所述化学气相沉积腔体温度升高达1300～1600℃范围，并保持30～50分钟。