[发明专利]一种垂直环栅隧穿晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410392305.1 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN104157687A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 孙雷;徐浩;张一博;韩静文;王漪;张盛东 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 朱红涛 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种结合垂直沟道、异类杂质分凝和肖特基势垒源/漏结构的环栅场效应晶体管，包括一个垂直方向的环状半导体沟道，一个环状栅电极，一个环状栅介质层，一个源区，一个杂质分凝区，一个漏区，一个杂质分凝区，一个半导体衬底；其中，源区位于垂直沟道的底部，与衬底相接，杂质分凝区介于源区与垂直沟道之间；漏区位于垂直沟道的顶部，杂质分凝区介于漏区与垂直沟道之间；栅介质层和栅电极呈环状围绕住垂直沟道；源区和漏区分别与沟道形成肖特基接触；所述杂质分凝区和杂质分凝区的杂质选自异类材质，即：杂质分凝区的杂质选自于p型材料时，杂质分凝区的杂质选自于n型材料；杂质分凝区的杂质选自于n型材料时，杂质分凝区的杂质选自于p型材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 环栅隧穿 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种结合垂直沟道、异类杂质分凝和肖特基势垒源/漏结构的环栅场效应晶体管，其特征是，包括一个垂直方向的环状半导体沟道(4)，一个环状栅电极(6)，一个环状栅介质层(5)，一个源区(2)，一个杂质分凝区(7)，一个漏区(3)，一个杂质分凝区(8)，一个半导体衬底(1)；其中，源区(2)位于垂直沟道(4)的底部，与衬底(1)相接；杂质分凝区(7)介于源区(2)与垂直沟道(4)之间；漏区(3)位于垂直沟道(4)的顶部；杂质分凝区(8)介于漏区(3)与垂直沟道(4)之间；栅介质层(5)和栅电极(6)呈环状围绕住垂直沟道(4)；源区(2)和漏区(3)分别与沟道(4)形成肖特基接触；所述杂质分凝区(7)和杂质分凝区(8)的杂质选自异类材质，即：杂质分凝区(7)的杂质选自于p型材料时，杂质分凝区(8)的杂质选自于n型材料；杂质分凝区(7)的杂质选自于n型材料时，杂质分凝区(8)的杂质选自于p型材料。
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