[发明专利]鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法有效
| 申请号： | 201410392773.9 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105336624B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 洪培真;殷华湘;朱慧珑;刘青;李俊峰;赵超;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;逢京喜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的假栅的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有鳍及隔离层；覆盖鳍及隔离层以形成掩盖层；沿与鳍垂直的方向进行掩盖层的刻蚀，直至暴露隔离层，以形成开口；进行填充，以在开口中形成假栅；去除掩盖层。本发明通过刻蚀形成用于形成假栅的开口，这样会形成倒梯形的开口，进而使得假栅具有倒梯形的形状，即假栅的上部宽、下部窄，这会利于后续工艺中替代栅极尤其是金属栅极的填充，同时不会损伤鳍以及衬底，具有良好的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 假栅 隔离层 掩盖层 开口 衬底 鳍式场效应晶体管 倒梯形 刻蚀 填充 后续工艺 金属栅极 器件性能 垂直的 去除 制造 损伤 暴露 替代 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的假栅的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍及隔离层；覆盖鳍及隔离层以形成掩盖层；沿与鳍垂直的方向进行掩盖层的刻蚀，直至暴露隔离层，以形成具有倒梯形结构的开口；填满开口，以在开口中形成假栅；去除掩盖层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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