[发明专利]一种高致密度六方氮化硼陶瓷材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种高致密度六方氮化硼(hBN)陶瓷材料的制备方法，该方法采用正硅酸乙酯为原料在hBN粉体表面包覆均匀分散的SiO2纳米粒子层，然后采用无压烧结法获得高致密度的hBN陶瓷材料，制备的hBN陶瓷材料相对致密度达到80％以上。本发明的制备方法操作简单、工艺条件容易控制，成本低廉，通过在hBN粉体表面包覆SiO2实现SiO2烧结助剂的均匀分散，结合高温无压烧结获得高致密度的hBN陶瓷，在降低SiO2的使用量的同时提高hBN的高温使用温度及高温性能。

主权项

一种高致密度六方氮化硼陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将hBN粉体加入去离子水中，均匀搅拌混合配置成hBN粉体‑去离子水的混合物；(2)向步骤(1)所得的混合物中滴加乙醇，滴加乙醇的质量与上述混合物的质量比为0.08～0.1；然后，继续向混合物中滴加浓氨水至溶液pH值为9～10，待混合物混合均匀后，再继续缓慢滴加正硅酸乙酯和乙醇的混合溶液，直至混合溶液中正硅酸乙酯和步骤(1)中去离子水的摩尔比为(1:4)～(1:8)，滴加完成后，密封瓶口，继续反应5～20小时；(3)步骤(2)反应结束后，过滤得到的粉体，将所述粉体烘干并研磨过筛；(4)将步骤(3)得到的过筛的粉体在高真空炉中预烧，预烧后再次均匀研磨过筛；(5)将步骤(4)得到的粉体进行冷等静压成型，然后在N2气氛下进行高温无压烧结，然后保温1～3h，得到样品；(6)烧结实验结束后，降温取出样品。