[发明专利]波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法

摘要

本发明涉及一种波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法，所述大功率激光器芯片结构包括：在衬底(0)上依次生成的缓冲层(1)、第一渐变限制层(2)、第一波导层(3)、第二波导层(4)、第一量子阱垒层(5)、量子阱有源层(6)、第二量子阱垒层(7)、第三波导层(8)、腐蚀停止层(9)、第四波导层(10)、第二渐变限制层(11)、欧姆接触层(12)、绝缘介质层(13)、P型上电极(14)以及N型下电极(15)。通过所述制作方法获得的结构由于增加了P型InGaP构成的腐蚀停止层，便于控制腐蚀深度，对提高生产效率以及成品率起到很好的作用。

主权项

一种波长为808nm的大功率激光器芯片结构的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)在衬底(0)上依次外延生成缓冲层(1)、第一渐变限制层(2)、第一波导层(3)、第二波导层(4)、第一量子阱垒层(5)、量子阱有源层(6)、第二量子阱垒层(7)、第三波导层(8)、腐蚀停止层(9)、第四波导层(10)、第二渐变限制层(11)以及欧姆接触层(12)；2)按照脊波导加工方法，首先在欧姆接触层(12)上涂覆2µm厚的光刻胶并于88‑92℃范围内进行烘烤，再通过曝光显影于欧姆接触层(12)上作出光刻胶图形并于118‑122℃范围内进行烘烤，在该光刻胶掩蔽下，利用H₂SO₄/H₂O₂/H₂O腐蚀液腐蚀掉欧姆接触层(12)、渐变限制层(11)、波导层(10)，直至腐蚀停止层(9)之上，以加工成脊型双沟台面结构，然后在整个脊型双沟台面结构上淀积250nm厚的绝缘介质层(13)，并利用光刻方法和腐蚀方法在台面欧姆接触层(12)上开设出窗口；3)之后，在欧姆接触层(12)上溅射2µm厚 的TiPtAu层，制作P型上电极(14)；4)然后减薄并抛光衬底(0)至100µm，制作N型下电极(15)，得到所述激光器芯片结构。