[发明专利]一种物理气相沉积方法有效
| 申请号： | 201410396397.0 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN105331933B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 杨敬山 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种物理气相沉积方法，用于在物理气相沉积设备内实现对晶片完成沉积工艺，该设备内设置有用于承载晶片的卡盘和压环，该方法包括：步骤S1，使压环叠置在晶片上表面的边缘区域，以使晶片被固定在卡盘和所述压环之间，对晶片沉积第一厚度的薄膜；步骤S2，使压环未叠置在基片上表面的边缘区域，继续对晶片沉积第二厚度的薄膜，以实现在晶片的边缘区域镀膜。该方法不仅可以提高晶片的覆盖率；而且还可以尽可能地提高晶片背压和对晶片的冷却效果，因而可以提高直流电源的输出功率，从而可以降低工艺时间和提高工艺效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 压环 边缘区域 沉积 物理气相沉积 叠置 薄膜 物理气相沉积设备 基片上表面 晶片上表面 承载晶片 工艺效率 冷却效果 输出功率 直流电源 镀膜 卡盘 覆盖率 | ||
【主权项】：
1.一种物理气相沉积方法，用于在物理气相沉积设备内实现对晶片完成沉积工艺，其特征在于，所述物理气相沉积设备内设置有用于承载晶片的卡盘和压环，所述物理气相沉积设备还包括靶材，所述靶材和激励电源电连接，所述物理气相沉积方法包括以下步骤：步骤S1，使所述压环叠置在所述晶片上表面的边缘区域，以使所述晶片被固定在所述卡盘和所述压环之间，对所述晶片沉积第一厚度的薄膜；所述激励电源的输出功率为6kW；步骤S2，使所述压环未叠置在所述晶片上表面的边缘区域，继续对所述晶片沉积第二厚度的薄膜，以实现在晶片的边缘区域镀膜；所述激励电源的输出功率为10kW。
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