[发明专利]一种加载T形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器无效
| 申请号： | 201410397448.1 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN104241736A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 林澍;罗晓;王立娜;赵志华;刘冠君;耿姝 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20;H01P1/203 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 王大为 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种加载T形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器，它涉及一种半模基片集成波导带通滤波器，具体涉及一种加载T形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器。本发明为了解决普通的基片集成波导带通滤波器的工作频率很高，相对带宽很窄，无法应用于移动通信系统中的问题。本发明包括第一金属印刷层、介质基板、第二金属印刷层和两个平衡微带线，介质基板为长方形板体，第一金属印刷层为长方形金属薄板，第一金属印刷层、介质基板、第二金属印刷层由上至下依次叠加设置，第一金属印刷层印刷在介质基板上表面的中部，第二金属印刷层印刷在介质基板的下表面。本发明用于无线通信领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加载 缺陷 结构 半模基片 集成 波导 带通滤波器 | ||
【主权项】：
一种加载T形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器，其特征在于：所述一种加载T形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器包括第一金属印刷层(1)、介质基板(2)、第二金属印刷层(3)和两个平衡微带线(4)，介质基板(2)为长方形板体，第一金属印刷层(1)为长方形金属薄板，第一金属印刷层(1)、介质基板(2)、第二金属印刷层(3)由上至下依次叠加设置，第一金属印刷层(1)印刷在介质基板(2)上表面的中部，第二金属印刷层(3)印刷在介质基板(2)的下表面，两个平衡微带线(4)呈一字形印刷在介质基板(2)上表面的一侧边缘，且两个平衡微带线(4)分别位于第一金属印刷层(1)的两端，每个平衡微带线(4)的一端与介质基板(2)相对应的一端边缘连接，每个平衡微带线(4)的另一端与第一金属印刷层(1)相对应的一端连接，第一金属印刷层(1)的一侧开有一排金属化过孔(5)，且每个金属化过孔(5)由上至下依次穿过第一金属印刷层(1)、介质基板(2)、第二金属印刷层(3)，第二金属印刷层(3)一侧的中部设有第一T形缺陷地结构组，所述第一T形缺陷地结构组包括三个并排设置的第一T形缺陷地结构(6)，所述第一T形缺陷地结构组的两侧分别设有两个第二T形缺陷地结构(7)，每个第一T形缺陷地结构(6)的竖直端与第二金属印刷层(3)的一侧边缘接触，每个第二T形缺陷地结构(7)的竖直端与第二金属印刷层(3)的一侧边缘接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410397448.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种插入衰减法设计的前置低通滤波器
- 下一篇：一种锂可充放电池
