[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410397505.6 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN104916670B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 小仓常雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 杨谦,胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制负阻的半导体装置。实施方式的半导体装置，具备在第1电极与第2电极之间设置的第1半导体区域；在第1电极与第1半导体区域之间设置的第2半导体区域；设置在第1电极与第2半导体区域之间，在第2方向上排列的第3半导体区域以及第4半导体区域；位于第3半导体区域与第2电极之间，设置在第1半导体区域与第2电极之间的第5半导体区域；位于第4半导体区域与第2电极之间，设置在第1半导体区域与第2电极之间的第6半导体区域；设置在第5半导体区域与第2电极之间的第7半导体区域；以及隔着第1绝缘膜而与第7半导体区域、第5半导体区域以及第1半导体区域相接的第3电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设置在上述第1电极与上述第2电极之间；第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1电极与上述第1半导体区域之间；第2导电型的第3半导体区域以及第1导电型的第4半导体区域，设置在上述第1电极与上述第2半导体区域之间，在与第1方向交叉的第2方向上排列，该第1方向是从上述第1电极朝向上述第2电极的方向；第2导电型的第5半导体区域，位于上述第3半导体区域与上述第2电极之间，设置在上述第1半导体区域与上述第2电极之间；第2导电型的第6半导体区域，位于上述第4半导体区域与上述第2电极之间，设置在上述第1半导体区域与上述第2电极之间；第1导电型的第7半导体区域，设置在上述第5半导体区域与上述第2电极之间；以及第3电极，隔着第1绝缘膜设置于上述第7半导体区域、上述第5半导体区域以及上述第1半导体区域，所述第3半导体区域的杂质浓度比所述第2半导体区域的杂质浓度高。
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