[发明专利]形成金属硅化物的方法及其湿法腐蚀混合液配方有效
申请号: | 201410397826.6 | 申请日: | 2014-08-14 |
公开(公告)号: | CN105336600B | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 崔虎山;罗军;刘庆波;王桂磊;卢一泓;杨涛;殷华湘;李俊峰;赵超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/285 | 分类号: | H01L21/285;C23F1/02;C23F1/28 |
代理公司: | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种形成金属硅化物的方法,包括:在含单晶、非晶、多晶硅的晶圆表面上沉积镍基金属,含有镍以及至少第二种金属;进行退火,使得镍基金属与暴露区域的硅反应形成镍基金属硅化物,比如位于源漏、栅极区域;采用湿法腐蚀混合液,在不损失刚形成的金属硅化物的同时选择性的湿法腐蚀去除未跟硅反应的镍基金属,其中混合液配方包含碘盐、单质碘、有机或无机酸和溶剂。依照本发明的金属硅化物工艺以及所使用的选择性湿法腐蚀混合液,通过合理调整湿法腐蚀液的各组分配比,在较低温度下获得了寿命较长的化学活性组分,从而降低了湿法腐蚀机台的配置要求,且降低了工艺成本、提高了工艺稳定性。 | ||
搜索关键词: | 形成 金属硅 方法 及其 湿法 腐蚀 混合液 配方 | ||
【主权项】:
1.一种形成金属硅化物的方法,包括:在含单晶、非晶、多晶、微晶硅的晶圆表面上沉积镍基金属,含有镍以及至少第二种金属;进行退火,使得镍基金属与晶圆表面暴露的硅反应形成镍基金属硅化物,所述镍基金属硅化物位于源漏、栅极区域;在室温至80摄氏度下采用湿法腐蚀混合液以选择性的湿法腐蚀去除未与硅反应的镍基金属,其中混合液配方由碘盐、单质碘、有机或无机酸、以及溶剂组成,混合液的pH值达到0或以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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