[发明专利]一种非接触式微弧抛光工艺及其装置有效
申请号: | 201410398240.1 | 申请日: | 2014-08-13 |
公开(公告)号: | CN104120475A | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 蒋百铃;阚金峰;李洪涛;张超;刘燕婕 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | C25D11/02 | 分类号: | C25D11/02 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 于永进 |
地址: | 210009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及材料加工领域,特别是一种用于金属制品表面非接触式微弧抛光工艺及其装置,其中工艺包括步骤配置电解液、设计阴阳极参数、控制流场环境、设置电源参数和微弧抛光,装置包括微弧抛光电源和电解槽,所述电解槽内放置有电解液,所述微弧抛光电源的两级插入电解液中;所述电解槽外围设置有冷却水系统;所述微弧抛光电源的两级通过信号采集单元与控制系统电连接。采用上述工艺和装置后,本发明的微弧抛光工艺具有可原子级逐层剥离的优点,规避受电极电位不一致性干扰的工艺缺点,且不受阳极金属组元和物相组成限制、可满足复杂曲面形状构件,能实现亚微至纳米级精密抛光和加工要求的工艺目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 接触 式微 抛光 工艺 及其 装置 | ||
【主权项】:
一种非接触式微弧抛光工艺,其特征在于,包括以下步骤:配置电解液:根据需要抛光的金属基体配置微弧氧化电解液,并在微弧氧化电解液中加入添加剂;设计阴阳极参数:根据需抛光工件的大小调整控制微弧抛光电源两电极之间的间距在1‑80mm;控制流场环境:按照抛光和去除要求,设计流场体系;设置电源参数:所述微弧抛光电源采用直流脉冲电源,脉冲波形为方波;根据金属基体控制电压300‑600V,调控峰值电流波形的脉宽⊿ton为2‑80us,两个脉冲之间间隔⊿toff为10‑200us;微弧抛光:将工件置于电解液中进行反应,反应过程中控制电解液温度25‑60℃之间,处理时间8‑40min。
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