[发明专利]硅光伏电池的钝化缺陷的光致发光绘图在审
| 申请号： | 201410399797.7 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104282593A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | J·拉戈斯基;M·D·威尔逊;F·科索斯;G·纳杜德瓦利 | 申请（专利权）人： | 塞米拉布SDI有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于快速且准确地对硅晶片中的钝化缺陷进行绘图的方法，包括例如，当在生产线中的传送带上输送晶片时，采集光致发光(PL)图像同时移动晶片。该方法可应用于太阳能电池制造中的硅晶片的在线诊断。示例性实施例包括由单个光致发光强度图像(图)获得整个晶片钝化缺陷图像的过程，并且为工艺控制提供快速的反馈。 | ||
| 搜索关键词： | 硅光伏 电池 钝化 缺陷 光致发光 绘图 | ||
【主权项】：
一种检查光伏晶片的方法，包括：利用激发光相继照射晶片的多个照射区域，同时引起所述晶片与照射之间的相对动作；探测来自利用激发光相继照射的晶片的多个探测区域的光致发光光；基于探测到的光致发光光来形成晶片的光致发光强度图；以及基于光致发光强度图识别晶片中的缺陷，并据此确定关于晶片的信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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