[发明专利]一种量测宽度的方法

摘要

本发明涉及半导体缺陷分析领域，尤其涉及一种量测宽度的方法，该方法应用于量测光刻工艺中的EBR/WEE区域，首先在EBR/WEE交界区域选取若干厚度量测点，然后对这些厚度量测点进行测量，由第一个厚度达到正常值的位置坐标计算出该量测点距离晶边的距离，这个距离就是EBR/WEE在所选区域的量测值。该方法操作简单，操作性低，两侧结果重复性高，误差较小，且量测结果可实时经由统计过程控制系统管控。

主权项

一种量测宽度的方法，其特征在于，应用于量测光刻工艺中的EBR/WEE区域，包括以下步骤：步骤S1，提供一设置有器件区的半导体衬底，于所述半导体衬底上旋涂光刻胶后，采用EBR/WEE去除所述半导体衬底边缘多余的光刻胶，以形成环绕所述器件区的EBR/WEE区域；步骤S2，沿所述半导体衬底的中心点向外散射的方向上设置一量测区域，该量测区域从所述器件区延伸至所述EBR/WEE区域；步骤S3，采用打点的方法在所述量测区域形成若干量测点，对位于所述若干量测点下方的半导体衬底的厚度进行量测；步骤S4，将量测所得的厚度结果进行分析，得出若干跳跃值，并获取若干跳跃值所对应的量测点中距离半导体衬底边缘最近的量测点，则该量测点与所述半导体衬底边缘的最短距离为量测宽度值；步骤S5，将量测宽度值结果上传至统计过程控制程序进行管控。