[发明专利]一种SiC晶须的制备方法有效
| 申请号： | 201410401688.4 | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN104328478A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 张锐;范冰冰;邵刚;郭晓琴;解亚军;宋勃震;管可可;吴昊;张亮 | 申请（专利权）人： | 郑州航空工业管理学院 |
| 主分类号： | C30B1/10 | 分类号： | C30B1/10;C30B29/36;C30B29/62 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 牛爱周 |
| 地址： | 450000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC晶须的制备方法，包括下列步骤：1)取碳源和硅源制成前驱体；2)将步骤1)所得前驱体压制成片后，埋入石英砂中，进行微波烧结合成反应，即得。本发明的SiC晶须的制备方法，利用碳优良的吸波性能，采用直接微波合成方法，实现了SiC晶须的快速合成，得到结晶良好的SiC晶须；微波烧结是依靠材料自身的介电损耗来完成材料烧结的，相比于工业传统加热方法，具有能实现体积加热、污染少、烧结周期短、能耗低等优点；所得SiC晶须尺寸均匀，长径比高，结晶度好，缺陷少，产量高；该方法工艺简单，操作方便，生产周期短，烧结温度低，能耗低、污染少，适合大规模工业化生产，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC晶须的制备方法，其特征在于：包括下列步骤：1)取碳源和硅源制成前驱体；2)将步骤1)所得前驱体压制成片后，埋入石英砂中，进行微波烧结合成反应，即得。
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