[发明专利]改善PMOS器件性能的离子注入方法

摘要

一种改善PMOS器件性能的离子注入方法，包括：在硅基板上形成由隔离区隔开的至少一个第一晶体管区域和至少一个第二晶体管区域，在第一晶体管区域上形成有第一栅极，在第二晶体管区域上形成第二栅极；在硅基板上淀积氮化硅层，使氮化硅层将第一晶体管区域、第二晶体管区域及第一栅极、第二栅极全部均匀覆盖；在硅基板上旋涂光刻胶以将第一晶体管区域、第二晶体管区域及第一栅极、第二栅极全部覆盖；对光刻胶进行光刻，去除覆盖在第一晶体管区域及第一栅极的光刻胶；对第一晶体管区域进行紫外线处理；去除第二晶体管区域的光刻胶；干法刻蚀氮化硅层以形成覆盖第一栅极两侧的侧墙和覆盖第二栅极两侧的侧墙，而栅极顶部和源漏端的侧墙被刻蚀去除。

主权项

一种改善PMOS器件性能的离子注入方法，其特征在于包括依次执行下述步骤：在硅基板上形成由隔离区隔开的至少一个第一晶体管区域和至少一个第二晶体管区域，在第一晶体管区域上形成有第一栅极，在第二晶体管区域上形成有第二栅极，第一晶体管区域中的晶体管是PMOS晶体管，第二晶体管区域中的晶体管是NMOS晶体管；在硅基板上淀积一层氮化硅层，使氮化硅层将第一晶体管区域、第二晶体管区域及第一栅极、第二栅极全部均匀覆盖；在硅基板上旋涂光刻胶以将第一晶体管区域、第二晶体管区域及第一栅极、第二栅极全部覆盖；对光刻胶进行光刻，去除覆盖在第一晶体管区域及第一栅极的光刻胶；对第一晶体管区域进行紫外线处理；去除第二晶体管区域的光刻胶；干法刻蚀氮化硅层以形成覆盖第一栅极两侧的侧墙和覆盖第二栅极两侧的侧墙，而栅极顶部和源漏端的侧墙被刻蚀去除，覆盖第一栅极两侧的侧墙的厚度与覆盖第二栅极两侧的侧墙的厚度之比介于1.5‑2.5之间；形成第一晶体管区域和第二晶体管区域中的晶体管的源极和漏极。