[发明专利]用于具有多个半导体器件层的半导体结构的系统和方法

摘要

本发明提供了一种制造具有多个半导体器件层的半导体结构的方法。该方法包括：提供块状衬底和在块状衬底上生长第一沟道材料，其中，沟道材料的晶格常数与块状衬底的晶格常数不同以将应变引入沟道材料。该方法还包括：在具有应变的第一沟道材料的块状衬底上制造第一半导体器件层，在第一半导体层之上制造包括介电材料的具有毯状顶面的缓冲层，将第二衬底的底面接合至毯状顶面，其中，第二衬底包括掩埋氧化物和位于掩埋氧化物之上的第二沟道材料，以及在第二衬底上制造第二半导体器件层。本发明还涉及用于具有多个半导体器件层的半导体结构的系统和方法。

主权项

1.一种具有多个半导体器件层的半导体结构，所述半导体结构包括：第一半导体器件层，制造在具有应变的第一沟道材料的块状衬底上；缓冲层，包括在所述第一半导体器件层之上制造的介电材料并且具有毯状顶面；以及第二半导体器件层，制造在第二衬底上，所述第二衬底包括掩埋氧化物和位于所述掩埋氧化物之上的第二沟道材料，其中，所述掩埋氧化物的底面接合至所述缓冲层的所述毯状顶面，其中，配合的所述缓冲层和所述掩埋氧化物配置为将应变引入所述第二沟道材料。