[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410403957.0 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104377240B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 冈本康宏;中山达峰;井上隆 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其具有形成在衬底上方的沟道层、形成在沟道层之上并且具有比沟道层的禁带宽度更大的禁带宽度的阻挡层、贯通阻挡层直至沟道层的中途的沟槽、以及经由栅极绝缘膜而配置在沟槽的内部的栅极电极。此外，沟槽的底部的端部为圆角形状并且与沟槽的底部的端部接触的栅极绝缘膜为圆角形状。通过如上所描述将沟槽的底部的端部设置有圆度，能够减小位于栅极电极的底部的端部与沟槽的底部的端部之间的、栅极绝缘膜的厚度。因此，也可以在沟槽的底部的端部形成沟道，从而减小沟道的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道层 栅极绝缘膜 圆角形状 栅极电极 阻挡层 沟道 减小 禁带 半导体器件 端部接触 衬底 电阻 圆度 贯通 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n第一氮化物半导体层，形成在衬底上方；/n第二氮化物半导体层，形成在所述第一氮化物半导体层之上，并且具有比所述第一氮化物半导体层的禁带宽度更大的禁带宽度；/n沟槽，贯通所述第二氮化物半导体层直至所述第一氮化物半导体层的中途；以及/n栅极电极，经由栅极绝缘膜而配置在所述沟槽的内部，/n其中所述沟槽的底部的端部为圆角形状，并且与所述沟槽的底部的端部接触的所述栅极绝缘膜为圆角形状。/n
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