[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

一种三维存储器制造方法，包括步骤在衬底上形成第一材料层与第二材料层的堆叠结构；刻蚀堆叠结构露出衬底，形成垂直的多个第一开孔；在每个第一开孔中形成填充层；在每个第一开孔周围，刻蚀堆叠结构露出衬底，形成垂直的多个第二开孔；在每个第二开孔中形成垂直的沟道层和漏极；选择性刻蚀去除填充层，重新露出第一开孔；侧向刻蚀部分或者完全去除第二材料层，留下凹槽；在凹槽中形成栅极堆叠结构；在每个第一开孔底部的衬底上和/或中形成共源极。依照本发明的三维存储器制造方法，将TCAT三维器件的字线深槽替换为深孔刻蚀来完成相同的功能，提高集成密度，简化堆叠结构的刻蚀工艺，保留了金属栅控制性能。

主权项

一种三维存储器制造方法，包括步骤：在衬底上形成第一材料层与第二材料层的堆叠结构；刻蚀堆叠结构露出衬底，形成垂直的多个第一开孔；在每个第一开孔中形成填充层；在每个第一开孔周围，刻蚀堆叠结构露出衬底，形成垂直的多个第二开孔；在每个第二开孔中形成垂直的沟道层和漏极；选择性刻蚀去除填充层，重新露出第一开孔；侧向刻蚀部分或者完全去除第二材料层，留下凹槽；在凹槽中形成栅极堆叠结构；在每个第一开孔底部的衬底上和/或中形成共源极。