[发明专利]一种CMOS图像传感器的制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器的制作方法，CMOS图像传感器包括基底及位于基底上方的像素单元和逻辑电路，像素单元包括光电二极管、浅槽隔离区，光电二极管与浅槽隔离区之间设有P型注入层。浅槽隔离区、P型注入层和光电二极管的形成采用一层像素专用掩膜版实现，且像素专用掩膜版只用到一次，像素单元的其它部分的形成共用逻辑电路的掩膜版；采用自对准注入工艺对光电二极管的表面进行P型杂质注入，形成表面掩蔽层。大大精简了像素所用掩膜版，在不牺牲像素性能的前提下大大缩减了制造成本。

主权项

一种CMOS图像传感器的制作方法，所述CMOS图像传感器包括基底及位于基底上方的像素单元和逻辑电路，其特征在于，所述像素单元包括光电二极管、浅槽隔离区，所述光电二极管与浅槽隔离区之间设有P型注入层，所述制作方法包括步骤：在所述基底上设置P型掩埋层，并在该P型掩埋层上设置所述像素单元和逻辑电路；进行所述浅槽隔离区的腐蚀以及所述P型注入层的注入和所述光电二极管的注入，所述浅槽隔离区、P型注入层和光电二极管的形成采用一层像素专用掩膜版实现，且所述像素专用掩膜版只用到一次，所述像素单元的其它部分的形成共用所述逻辑电路的掩膜版；采用自对准注入工艺对所述光电二极管的表面进行P型杂质注入，形成表面掩蔽层。