[发明专利]防止图像弥散的图像传感器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种图像质量高的防止图像弥散的图像传感器及其制作方法，包括感光像素阵列，感光像素阵列中的每个像素包含置于半导体基体中的N型光电二极管，感光像素阵列区域设置N型导电层，N型导电层位于所述光电二极管的下方，感光像素阵列周围设置有抽取电荷N型区，抽取电荷N型区与所述N型导电层相互连接。光电二极管饱和时的外溢电荷被光电二极管底部的导电层吸收，进而通过抽取电荷N型区被抽离感光像素区域，外溢电荷不会串扰到临近像素的光电二极管中，可防止图像弥散现象的发生，提高图像的质量。

主权项

一种防止图像弥散的图像传感器，包括感光像素阵列，所述感光像素阵列中的每个像素包含置于半导体基体中的N型光电二极管，其特征在于，所述感光像素阵列区域设置N型导电层，所述N型导电层位于所述光电二极管的下方，所述感光像素阵列周围设置有抽取电荷N型区，所述抽取电荷N型区与所述N型导电层相互连接；所述N型导电层与所述N型光电二极管隔开，所述N型导电层与所述N型光电二极管的间隔距离为至少为0.1μm；所述N型导电层在半导体基体中的垂直宽度为0.1μm～0.5μm、深度至少为1μm；所述N型导电层的N型离子浓度至少为1.5E+15Atom/cm3。