[发明专利]鳍状场效晶体管元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410405794.X | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105355658A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 吴彦良;张仲甫;洪裕祥;傅思逸;沈文骏;吕曼绫;刘家荣;陈意维 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种鳍状场效晶体管元件及其制造方法，该制造方法包含以下步骤：提供一基材，其基材表面具有鳍状结构；在基材上形成氧化层；移除部分氧化层，用以露出部分的鳍状结构，同时形成至少一浅沟槽隔离结构；在鳍状结构的露出部分两侧形成一对间隙壁；移除部分鳍状结构用以于间隙壁间形成一凹槽，并同时移除部分未被间隙壁覆盖的浅沟槽隔离结构；在凹槽中形成外延鳍状结构；移除间隙壁；以及于外延鳍状结构上形成栅极结构，使其延伸方向垂直于外延鳍状结构的延伸方向。本发明另提供一种鳍状场效晶体管元件。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍状场效 晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍状场效晶体管元件制造方法，其包括以下步骤：提供一基材，该基材表面上具有一鳍状结构；在该基材上形成一氧化层；移除部分该氧化层，用以露出部分的该鳍状结构，同时形成至少一浅沟槽隔离结构；在该鳍状结构的露出部分两侧形成一对间隙壁；移除部分该鳍状结构用以于该对间隙壁间形成一凹槽，并同时移除部分未被间隙壁覆盖的该浅沟槽隔离结构；在该凹槽中形成一外延鳍状结构；移除该对间隙壁；以及在该外延鳍状结构上形成一栅极结构，使其延伸方向垂直于该外延鳍状结构的延伸方向。
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