[发明专利]像素结构、阵列基板及显示器件在审
| 申请号： | 201410407608.6 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN104133334A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 庄崇营;胡君文;李林;洪胜宝;何基强;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 516600 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种像素结构、阵列基板及显示器件，其像素结构包括栅极线、数据线、像素电极和公共电极；其中，公共电极形成于栅极线所在导电层和像素电极所在导电层之间，公共电极与栅极线和像素电极之间均相互隔离，公共电极覆盖栅极线，且公共电极与像素电极具有交叠区域。由于公共电极形成在栅极线上方，相对于现有的公共电极和栅极线位于同一导电层的情况，不仅可以增大像素结构的开口率；而且公共电极还可以起到一定的遮光作用，减少像素结构边缘区域的漏光，提高显示器件的对比度、透过率和显示稳定性，提高了显示器件的显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 阵列 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种像素结构，所述像素结构包括：栅极线、数据线、像素电极和公共电极；其特征在于，所述公共电极形成于所述栅极线所在导电层和所述像素电极所在导电层之间，所述公共电极与所述栅极线和所述像素电极之间均相互隔离，所述公共电极覆盖所述栅极线，且所述公共电极与所述像素电极具有交叠区域。
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