[发明专利]Mg掺杂电子阻挡层的外延片，生长方法及LED结构有效
| 申请号： | 201410407703.6 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN104134730B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 周少将;徐迪;卢国军;刘为刚 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种Mg掺杂电子阻挡层的外延片，生长方法及LED结构，所述的外延片从下至上依次为衬底，低温GaN缓冲层，高温GaN缓冲层，n型GaN层，n型AlGaN层，n型接触层，多量子阱层，GaN垒层，在所述的GaN垒层上为AlGaN/GaN电子阻挡层，所述的AlGaN/GaN电子阻挡层上为低温P型GaN层，所述的低温P型GaN层上为掺杂Mg的高浓度的AlGaN/InGaN电子阻挡层，所述的AlGaN/InGaN电子阻挡层上为高温P型GaN层，所述的高温P型GaN层上为P型接触层。本发明的优点是提高P层向多量子阱中注入的空穴浓度；同时，增强电子阻挡作用，以提高出光效率，可显著提升亮度。 | ||
| 搜索关键词： | mg 掺杂 电子 阻挡 外延 生长 方法 led 结构 | ||
【主权项】：
一种Mg掺杂电子阻挡层的外延片，其自下而上依次包括：衬底，低温GaN缓冲层，高温GaN缓冲层，n型GaN层，n型AlGaN层，n型接触层，多量子阱层，GaN垒层，其特征在于：所述Mg掺杂电子阻挡层的外延片，进一步包括：形成于所述GaN垒层上的AlGaN/GaN电子阻挡层，所述AlGaN/GaN电子阻挡层的总厚度为10nm，其中Al的浓度为5E+19atom/cm‑3～1E+20atom/cm‑3；形成于所述AlGaN/GaN电子阻挡层上的低温P型GaN层；形成于所述低温P型GaN层上的掺杂Mg的AlGaN/InGaN电子阻挡层，所述AlGaN/InGaN电子阻挡层为超晶格结构，总厚度为40nm～50nm，生长周期数为10，Al的浓度为1E+20atom/cm3，Mg的浓度为1E+20atom/cm3～1E+22atom/cm3；形成于所述AlGaN/InGaN电子阻挡层上的高温P型GaN层，所述高温P型GaN层的总厚度为60nm～70nm，以及，形成于所述高温P型GaN层上的P型接触层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司，未经湘能华磊光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410407703.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
