[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410408864.7 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105355558A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 孟海娟;朱慧珑;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底之上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质层，具有水平的第一部分以及垂直的第二部分；在高K栅介质层上形成金属栅层；选择性刻蚀高K栅介质层，去除高K栅介质层的垂直的第二部分，仅保留水平的第一部分。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过创新性工艺选择性去除了一部分高K栅介质层，仅在金属栅导电层与界面氧化物层之间保留水平方向的高K栅介质层，有效减小器件面积并且提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底顶部形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质层，具有水平的第一部分以及垂直的第二部分；在高K栅介质层上形成金属栅层；选择性刻蚀高K栅介质层，去除高K栅介质层的垂直的第二部分，仅保留水平的第一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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