[发明专利]静态随机存储器有效
| 申请号： | 201410409377.2 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105355232B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈金明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种静态随机存储器。其中，该静态随机存储器包括：第一反相器和第二反相器，第一反相器的输出端连接至第二反相器的输入端，第一反相器的输入端连接至第二反相器的输出端；第一NMOS晶体管，分别与第一反相器的输入端、第二反相器的输出端、写字线和写位线连接，用于控制写信号的选通；第二NMOS晶体管，分别与第一反相器的输出端、第二反相器的输入端、读字线和内线连接，用于控制读信号的选通。本发明解决了现有技术中的基于6T单元的SRAM的读静态噪声容限较低的技术问题，达到了提高基于6T单元的SRAM的读静态噪声容限的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存储器，其特征在于，包括：多个单元，其中，每个所述单元包括：第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输出端连接至所述第二反相器的输入端，所述第一反相器的输入端连接至所述第二反相器的输出端；第一NMOS晶体管，分别与所述第一反相器的输入端、所述第二反相器的输出端、写字线和写位线连接，用于控制写信号的选通；第二NMOS晶体管，分别与所述第一反相器的输出端、所述第二反相器的输入端、读字线和内线连接，用于控制读信号的选通；其中，所述第一反相器包括第一PMOS晶体管和第三NMOS晶体管；所述第二反相器包括第二PMOS晶体管和第四NMOS晶体管；所述第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管的宽度与所述第一NMOS晶体管的宽度相同；所述第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管的宽度与所述第二NMOS晶体管的宽度相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410409377.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种三相多态伺服电机
- 下一篇：一种基于音频功率放大电路的新型录音系统
