[发明专利]引线焊垫结构的制造方法

摘要

本发明提供了一种引线焊垫结构的制造方法，在进行第一次过刻蚀在钝化层形成开口，且进行高温灰化后增加了一步利用还原性气体对开口底部进行的第一次表面处理，可使在进行第一次过刻蚀时，金属互连线出现的空洞处的金属氧化物发生还原反应，避免后续清洗工艺时清洗液与金属氧化物发生反应扩大空洞的体积，从而增强形成于金属互连线上的扩散阻挡层的质量，尽量避免发生扩散缺陷，提高半导体器件的性能。

主权项

一种引线焊垫结构的制造方法，其特征在于，包括：提供具有多个半导体芯片的晶圆，每个所述半导体芯片包括位于最上层的电介质层，所述电介质层中形成有金属互连线；在所述电介质层和金属互连线表面形成刻蚀阻挡层和钝化层；对所述钝化层进行第一次过刻蚀形成对应金属互连线表面的开口，以使所述晶圆上所有半导体芯片中的所述开口底部均完全暴露所述刻蚀阻挡层；执行高温灰化工艺，以去除所述第一次过刻蚀过程中的刻蚀副产物；利用还原性气体对开口底部进行第一次表面处理；执行第二次刻蚀工艺，打开所述开口底部的刻蚀阻挡层，形成沟槽，所述沟槽底部暴露金属互连线；执行清洗工艺，对在前工艺得到结构进行清洗；在暴露的金属互连线表面、沟槽侧壁形成扩散阻挡层，并在沟槽内沉积焊垫材料，对焊垫材料进行第三次刻蚀以形成焊垫；其中，在执行第二次刻蚀工艺之后，执行清洗工艺之前还包括执行第二次表面处理的步骤，包括利用还原性气体对暴露的金属互连线表面进行第二次表面处理，以去除暴露的金属互连线表面的氧化物。