[发明专利]一种高锗浓度锗硅沟道的制备方法在审
| 申请号： | 201410410397.1 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104332389A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 钟旻 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高锗浓度锗硅沟道的制备方法，其步骤依次为，在硅衬底上制备低锗浓度的锗硅，通过低温氧化转化为高锗浓度的锗硅以及其表面的二氧化硅，再去除表面的二氧化硅，形成高锗浓度的锗硅作为沟道。通过这种方法，能有效提高作为沟道材料的锗硅薄膜中锗的浓度以增加沟道的空穴迁移率，降低阈值电压，提升器件性能，同时减少锗硅薄膜的缺陷密度，提高器件良率，而且工艺成熟易操作，稳定性好，操作时间短，适合大批量生产，制备成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浓度 沟道 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高锗浓度锗硅沟道的制备方法，其特征在于，在硅衬底上制备低锗浓度的锗硅，通过氧化转化为高锗浓度的锗硅以及其表面的二氧化硅，再去除表面的二氧化硅，形成高锗浓度的锗硅作为沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
