[发明专利]一种高功率半导体激光器系统及其制备方法在审
申请号: | 201410412518.6 | 申请日: | 2014-08-20 |
公开(公告)号: | CN104184044A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 张普;刘兴胜;熊玲玲;王贞福;聂志强 | 申请(专利权)人: | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042;H01S5/024 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 杨引雪 |
地址: | 710119 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提供了一种高功率半导体激光器系统及其制备方法,以提高半导体激光器的可靠性,从而延长其使用寿命。该高功率半导体激光器系统,包括半导体激光器芯片,半导体激光器芯片封装后连接正极和负极,所述半导体激光器芯片通过正负极分别与电流/电压监测装置、反馈电路和电源连接。本发明所用的反馈电路结构简单,能够降低半导体激光器整体成本;能够大大提高半导体激光器的工作寿命,避免了不必要的损失。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 半导体激光器 系统 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高功率半导体激光器系统,包括半导体激光器芯片,半导体激光器芯片封装后连接正极和负极,其特征在于:所述半导体激光器芯片通过正负极分别与电流/电压监测装置、反馈电路和电源并联;所述电流/电压监测装置用于检测半导体激光器芯片两端的实际电流/电压,电源用于向半导体激光器芯片供电;所述反馈电路用于在设定的时间范围内控制电源暂停或开启。
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