[发明专利]一种高功率半导体激光器系统及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410412518.6 申请日: 2014-08-20
公开(公告)号: CN104184044A 公开(公告)日: 2014-12-03
发明(设计)人: 张普;刘兴胜;熊玲玲;王贞福;聂志强 申请(专利权)人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042;H01S5/024
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 杨引雪
地址: 710119 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供了一种高功率半导体激光器系统及其制备方法,以提高半导体激光器的可靠性,从而延长其使用寿命。该高功率半导体激光器系统,包括半导体激光器芯片,半导体激光器芯片封装后连接正极和负极,所述半导体激光器芯片通过正负极分别与电流/电压监测装置、反馈电路和电源连接。本发明所用的反馈电路结构简单,能够降低半导体激光器整体成本;能够大大提高半导体激光器的工作寿命,避免了不必要的损失。
搜索关键词: 一种 功率 半导体激光器 系统 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高功率半导体激光器系统,包括半导体激光器芯片,半导体激光器芯片封装后连接正极和负极,其特征在于:所述半导体激光器芯片通过正负极分别与电流/电压监测装置、反馈电路和电源并联;所述电流/电压监测装置用于检测半导体激光器芯片两端的实际电流/电压,电源用于向半导体激光器芯片供电;所述反馈电路用于在设定的时间范围内控制电源暂停或开启。
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