[发明专利]PMOLED阵列基板及其制作方法、显示装置和掩模板有效
| 申请号： | 201410412610.2 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104241328B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 盖翠丽;宋丹娜 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，公开了一种无源矩阵有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置和掩模板。阵列基板包括位于衬底基板上的第一金属层，包括电极连接金属、第一跨线金属条、引线金属和第一引脚金属；位于第一金属层之上且在电极连接金属、第一跨线金属条和第一引脚金属的上方分别具有过孔的绝缘层；位于绝缘层之上的第二金属层，包括通过对应过孔与第一跨线金属条连接的第二跨线金属条，以及通过对应过孔与第一引脚金属连接的第二引脚金属；位于第二金属层之上的透明导电层，包括与第二跨线金属条层叠设置的透明跨线条、与第二引脚金属层叠设置的透明引脚，以及通过对应过孔与电极连接金属连接的透明电极。 | ||
| 搜索关键词： | pmoled 阵列 及其 制作方法 显示装置 模板 | ||
【主权项】：
一种无源矩阵有机发光二极管阵列基板，其特征在于，包括：位于衬底基板上的第一金属层，包括电极连接金属、第一跨线金属条、引线金属和第一引脚金属；位于第一金属层之上且在电极连接金属、第一跨线金属条和第一引脚金属的上方分别具有过孔的绝缘层；位于绝缘层之上的第二金属层，包括通过对应过孔与第一跨线金属条连接的第二跨线金属条，以及通过对应过孔与第一引脚金属连接的第二引脚金属；位于第二金属层之上的透明导电层，包括与第二跨线金属条层叠设置的透明跨线条、与第二引脚金属层叠设置的透明引脚，以及通过对应过孔与电极连接金属连接的透明电极；所述透明导电层与所述第二金属层接触且两者在阵列基板的周边区域的结构完全重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
