[发明专利]闪存的制作方法在审
| 申请号： | 201410412986.3 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105355600A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 杨芸;李绍彬;仇圣棻 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李志刚;吴贵明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种闪存的制作方法。该闪存包括第一栅极单元和第二栅极单元，第一栅极单元包括第一栅极、第一隔离件、第一源极区和第一漏极区，第二栅极单元包括第二栅极、第二隔离件、第二源极区和第二漏极区，制作方法包括第一栅极单元的制作过程和第二栅极单元的制作过程，在进行第一栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的第二栅极或第二栅极单元；或者在进行第二栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的第一栅极或第一栅极单元。通过本申请，解决了在存储单元上沉积的用于保护单元的物质难以去除的问题，进而达到了快速彻底去除为保护存储单元而沉积的物质的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 制作方法 | ||
【主权项】：
一种闪存的制作方法，所述闪存包括第一栅极单元和第二栅极单元，所述第一栅极单元包括第一栅极、第一隔离件、第一源极区和第一漏极区，所述第二栅极单元包括第二栅极、第二隔离件、第二源极区和第二漏极区，所述制作方法包括所述第一栅极单元的制作过程和所述第二栅极单元的制作过程，其特征在于，在进行所述第一栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的所述第二栅极或第二栅极单元；或者在进行所述第二栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的所述第一栅极或第一栅极单元
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
