[发明专利]一种背面钝化太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201410413641.X | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN104201214A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 秦崇德;方结彬;石强;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 温旭 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背面钝化太阳能电池，包括背电极、背电场、背面钝化层、P型硅、N型发射极、钝化膜和正电极，所述背电极、背电场、背面钝化层、P型硅、N型发射极、钝化膜和正电极依次相连；其中，所述背面钝化层包括：由原子层沉积形成的Al2O3层，所述Al2O3层与所述P型硅相连；以及由等离子增强化学气相沉积形成的氮化硅层，所述氮化硅层与所述Al2O3层相连。相应的，本发明还公开一种制备上述背面钝化太阳能电池的方法。采用本发明，所述背面钝化太阳能电池的电池转换效率高，能满足不同厚度硅片的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 钝化 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背面钝化太阳能电池，其特征在于，包括背电极、背电场、背面钝化层、P型硅、N型发射极、钝化膜和正电极，所述背电极、背电场、背面钝化层、P型硅、N型发射极、钝化膜和正电极依次相连；其中，所述背面钝化层包括：由原子层沉积形成的Al2O3层，所述Al2O3层与所述P型硅相连；以及由等离子增强化学气相沉积形成的氮化硅层，所述氮化硅层与所述Al2O3层相连。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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