[发明专利]一种多晶硅铸锭方法在审
| 申请号： | 201410414388.X | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN105442040A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;肖贵云;陈志军;林瑶;徐志群;金浩;陈康平 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李海建 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅铸锭方法，通过两层氮化硅来保护底部粘锅和形核，第一层氮化硅主要保护部分形核源过渡熔化而与石英坩埚粘连裂锭，第二层氮化硅主要用来保护双层氮化硅夹层中的形核源不被熔化达到有效形核。在第一层氮化硅的保护下，可以通过不断改变形核源的类型、颗粒度、重量等来优化晶锭底部初始形核，避免因形核源和熔化工艺研发过程中而带来的粘锅、裂锭。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 铸锭 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅铸锭方法，包括步骤S1铺设形核材料、S2填料和S3熔化长晶，其特征在于，步骤S1铺设形核材料包括：S11、在光底坩埚底部喷涂第一层脱模剂，然后进入步骤S12；S12、在第一层脱模剂上均匀撒上形核源材料，然后进入步骤S13；S13、在形核源材料上喷洒粘接剂固化形核源材料和使之加强吸附在第一层脱模剂上，然后进入步骤S14；S14、在喷洒过粘接剂的形核源材料上再喷第二层脱膜剂，然后进入步骤S2。
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