[发明专利]非易失性存储器的制作方法及非易失性存储器

摘要

本申请公开了一种非易失性存储器的制作方法及非易失性存储器。其中，该制作方法包括以下步骤：形成基体结构，基体结构包括衬底，依次形成于衬底上的氧化物层和第一栅极材料层，以及形成于第一栅极材料层上的至少一对第二栅极结构；在各第二栅极结构的两侧侧壁上形成侧壁介质层，并在第一栅极材料层上形成牺牲介质层；刻蚀牺牲介质层和第一栅极材料层至露出氧化物层；去除位于每对第二栅极结构的外侧的侧壁介质层和第一栅极材料层，并将剩余的第一栅极材料层作为第一栅极；刻蚀氧化物层至露出衬底，并将剩余的氧化物层作为第一栅氧化物层。该制作方法能够平衡第二栅极结构的内侧和外侧的刻蚀程度。

主权项

1.一种非易失性存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：形成基体结构，所述基体结构包括衬底，依次形成于所述衬底上的氧化物层和第一栅极材料层，以及形成于所述第一栅极材料层上的至少一对第二栅极结构；在各所述第二栅极结构的两侧侧壁上形成侧壁介质层，并在所述第一栅极材料层上形成牺牲介质层；刻蚀所述牺牲介质层和所述第一栅极材料层至露出所述氧化物层；去除位于每对所述第二栅极结构的外侧的所述侧壁介质层和所述第一栅极材料层，并将剩余的所述第一栅极材料层作为第一栅极；刻蚀所述氧化物层至露出所述衬底，并将剩余的所述氧化物层作为第一栅氧化物层。