[发明专利]一种浅色导电纳米蒙脱土粉末的制备方法无效
申请号: | 201410415168.9 | 申请日: | 2014-08-21 |
公开(公告)号: | CN104192856A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 刘水平;夏清明;刘伟峰 | 申请(专利权)人: | 江苏启弘新材料科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/40 | 分类号: | C01B33/40;B82Y30/00 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 215500 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种浅色导电纳米蒙脱土粉末的制备方法,将一定量蒙脱土,加入到配置好的SnCl4溶液中;将氨水缓慢滴加到含有蒙脱土的SnCl4溶液中,滴加完成后放置数小时制得表面沉积有Sn(OH)4晶种的蒙脱土溶液,将SnCl4和SbCl3加入到一定浓度的盐酸中,配置成混合溶液,与氨水同时缓慢滴加到搅拌中的上述晶种溶液中;过滤,用去离子水将所得固体洗净,所得物质置于真空干燥箱中干燥后再置于马弗炉中煅烧,即可得到相应的浅色导电纳米蒙脱土粉末。 | ||
搜索关键词: | 一种 浅色 导电 纳米 蒙脱土 粉末 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种浅色导电纳米蒙脱土粉末的制备方法,其特征是在蒙脱土表面沉积一层浅色的锑掺杂二氧化锡(ATO)导电层,其步骤为:1)称取一定量凹凸棒土,加入到配置好的具有一定浓度SnCl4溶液中;2)将氨水以稍大于4∶1的摩尔比缓慢滴加到含有蒙脱土的SnCl4溶液中,滴加完成后放置数小时制得晶种溶液,备用;3)将SnCl4和SbCl3加入到一定浓度的HCl中,配置成混合溶液,与氨水同时缓慢滴加到搅拌中的晶种溶液中,在此过程中保持PH恒定;4)过滤,用去离子水将所得固体洗净,所得物质置于真空干燥箱中干燥后再置于马弗炉中煅烧。
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