[发明专利]半导体器件的光刻方法、闪存器件的制作方法及闪存器件有效
| 申请号： | 201410415519.6 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN105448839B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李天慧;张海洋;舒强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件的光刻方法、闪存器件的制作方法及闪存器件。该半导体器件包括待刻蚀区和非刻蚀区，该光刻方法包括：在半导体器件上形成掩膜层；在位于非刻蚀区的掩膜上形成经离子注入处理的第一光阻胶层；在第一光阻胶层和位于待刻蚀区的掩膜上形成第二光阻胶层；对位于待刻蚀区的第二光阻胶层进行曝光并进行刻蚀。该光刻方法中，在对位于待刻蚀区的第二光阻胶层进行曝光并进行刻蚀的步骤之前，在位于非刻蚀区的掩膜上形成经离子注入处理的第一光阻胶层。该第一光阻胶层能够减少光刻过程对非刻蚀器件区造成的损伤，进而提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 光刻 方法 闪存 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的光刻方法，所述半导体器件包括待刻蚀区和非刻蚀区，其特征在于，所述光刻方法包括：在所述半导体器件上形成掩膜层；在位于所述非刻蚀区的掩膜上形成经离子注入处理的第一光阻胶层；且所述离子注入处理的步骤中，注入离子为磷离子或硼离子在所述第一光阻胶层和位于所述待刻蚀区的掩膜上形成第二光阻胶层；对位于所述待刻蚀区的第二光阻胶层进行曝光并刻蚀所述待刻蚀区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
