[发明专利]接触槽的清洁工艺和接触层的形成方法有效
| 申请号： | 201410415548.2 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN105448652B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张琴;林艺辉;刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 艾春慧,吴贵明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种接触槽的清洁工艺和接触层的形成方法。接触槽的清洁工艺包括如下步骤步骤S1采用SC1清洗液清洁所述接触槽的底部表面，移除所述底部表面的颗粒；步骤S2在所述步骤S1后，采用臭氧化去离子水清洁所述底部表面，氧化所述底部表面并在所述底部表面形成氧化物使所述底部表面趋于平滑；步骤S3在所述步骤S2后，采用SiCoNi预清工艺清洁所述底部表面，移除在所述步骤S2中形成的所述氧化物。本申请提高接触层的金属塞与硅表面之间的金属硅化物与硅表面之间接触程度，从而减少接触电阻，提高半导体元器件的电气性能。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 清洁 工艺 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种接触槽的清洁工艺，其特征在于，所述清洁工艺包括如下步骤：步骤S1：采用SC1清洗液清洁所述接触槽的底部表面，移除所述底部表面的颗粒；步骤S2：在所述步骤S1后，采用臭氧化去离子水清洁所述底部表面，氧化所述底部表面并在所述底部表面形成氧化物使所述底部表面趋于平滑；步骤S3：在所述步骤S2后，采用SiCoNi预清工艺清洁所述底部表面，移除在所述步骤S2中形成的所述氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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