[发明专利]氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构

摘要

本发明提供一种氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构。该制作方法包括如下步骤：1、在基板(1)上形成栅极(2)；2、沉积栅极绝缘层(3)；3、形成岛状氧化物半导体层(4)；4、形成岛状光阻层(6)与岛状蚀刻阻挡层(5)，所述岛状蚀刻阻挡层(5)覆盖岛状氧化物半导体层(4)的中间部(41)而暴露出氧化物半岛体的两侧部(43)；5、对所述岛状氧化物半导体层(4)的两侧部(43)进行离子注入处理；6、将岛状光阻层(6)剥离；7、形成源/漏极(7)，所述源/漏极(7)与所述氧化物半导体层(4)的两侧部(43)接触，形成电性连接；8、沉积并图案化保护层(8)；9、沉积并图案化像素电极层(9)；10、进行退火处理。

主权项

一种氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上沉积并图案化第一金属层，形成栅极(2)；步骤2、在所述栅极(2)与基板(1)上沉积栅极绝缘层(3)；步骤3、在所述栅极绝缘层(3)上沉积并图案化氧化物半导体层，形成位于所述栅极(2)正上方的岛状氧化物半导体层(4)；步骤4、在所述岛状氧化物半导体层(4)与栅极绝缘层(3)上依次沉积蚀刻阻挡层、光阻层，之后对光阻层进行黄光制程，形成位于所述岛状氧化物半导体层(4)正上方的岛状光阻层(6)，再蚀刻所述蚀刻阻挡层，形成位于所述岛状氧化物半导体层(4)上的岛状蚀刻阻挡层(5)；所述岛状蚀刻阻挡层(5)的宽度小于所述氧化物半导体层(4)的宽度；所述岛状蚀刻阻挡层(5)覆盖岛状氧化物半导体层(4)的中间部(41)而暴露出氧化物半岛体的两侧部(43)；步骤5、对所述岛状氧化物半导体层(4)的两侧部(43)进行离子注入处理；步骤6、将所述岛状光阻层(6)从岛状蚀刻阻挡层(5)上剥离；步骤7、在所述岛状蚀刻阻挡层(5)与栅极绝缘层(3)上沉积并图案化第二金属层，形成源/漏极(7)；所述源/漏极(7)与所述氧化物半导体层(4)的两侧部(43)接触，形成电性连接；步骤8、在所述源/漏极(7)与蚀刻阻挡层(5)上沉积并图案化保护层(8)，形成位于所述岛状氧化物半导体层(4)一侧的通孔(81)；步骤9、在所述保护层(8)上沉积并图案化像素电极层(9)；所述像素电极层(9)填充所述通孔(81)与所述源/漏极(7)接触，形成电性连接；步骤10、对步骤9得到的基板(1)进行退火处理。