[发明专利]一种模拟可控硅阀的低压物理阀模型在审

专利信息
申请号: 201410416186.9 申请日: 2014-08-21
公开(公告)号: CN104155554A 公开(公告)日: 2014-11-19
发明(设计)人: 朱艺颖;董鹏;孙栩;胡涛;刘翀;王薇薇;习工伟;谢国平 申请(专利权)人: 国家电网公司;中国电力科学研究院
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 100031 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种模拟可控硅阀的低压物理阀模型,所述阀模型包括阀模块、用于检测阀模块电流值和极性的电流传感器检测电路、用于检测阀模块电压值和极性的电压传感器检测电路和用于控制所述阀模块导通的触发控制电路。所述阀板上设有包括如上述的模拟可控硅阀的低压物理阀模型。本发明申请提出采用两只反向串联的大功率场效应三极管,对可控硅阀的工作特性进行模拟制作。本发明申请能够精确模拟电力电子设备快速响应特性的物理仿真模型,且其运行电压能够满足与大规模数字实时仿真电网连接进行联合实时仿真的要求。
搜索关键词: 一种 模拟 可控硅 低压 物理 模型
【主权项】:
一种模拟可控硅阀的低压物理阀模型,其特征在于:所述阀模型包括阀模块、用于检测阀模块电流值和极性的电流传感器检测电路、用于检测阀模块电压值和极性的电压传感器检测电路和用于控制所述阀模块导通的触发控制电路。
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