[发明专利]基于高Q环形谐振腔的石墨烯电光调制器在审

专利信息
申请号: 201410416956.X 申请日: 2014-08-22
公开(公告)号: CN104297949A 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 薛晨阳;李艳娜;张文栋;梁庭;韦丽萍;王飞;王永华 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: G02F1/035 分类号: G02F1/035
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 朱源
地址: 030051 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明为一种基于高Q环形谐振腔的石墨烯电光调制器,包括高Q环形谐振系统,在其环形波导上取周长的一部分覆盖制作双层石墨烯薄膜调制系统,双层石墨烯薄膜调制系统包括底层电介质层、底层石墨烯、中间电介质层和顶层石墨烯,在顶层石墨烯和底层石墨烯之间加入电压V(t)。本发明调制器集成了石墨烯宽带吸收、载流子迁移率高等材料优势和高Q值环形光学谐振腔的光程放大的结构优势,在增加调制深度的同时,通过缩减石墨烯面积来减小RC延迟的方式增加最大调制频率,从而解决目前直波导石墨烯调制器中存在的调制深度和调制带宽此消彼长的两难问题。预期实现的3dB带宽可达100GHz以上。
搜索关键词: 基于 环形 谐振腔 石墨 电光 调制器
【主权项】:
一种基于高Q环形谐振腔的石墨烯电光调制器,包括高Q环形谐振腔谐振系统,该系统包括环形波导(1)、in端输入以及out,drop双端输出;其特征在于:在环形波导(1)上取周长的一部分覆盖制作双层石墨烯薄膜调制系统(2),双层石墨烯薄膜调制系统(2)包括底层电介质层(2‑1)、底层石墨烯(2‑2)、中间电介质层(2‑3)和顶层石墨烯(2‑4),其中,在整个环形波导(1)的表面以及埋氧层(3)上位于环形波导(1)内外且紧邻环形波导(1)的表面覆盖底层电介质层(2‑1);在底层电介质层(2‑1)的表面覆盖底层石墨烯(2‑2),但位于环形波导(1)内的底层电介质层(2‑1)的表面不覆盖底层石墨烯(2‑2);在底层石墨烯(2‑2)的表面以及位于环形波导(1)内的底层电介质层(2‑1)的表面覆盖中间电介质层(2‑3);在中间电介质层(2‑3)的表面覆盖顶层石墨烯(2‑4),但位于环形波导(1)外的中间电介质层(2‑3)的表面不覆盖顶层石墨烯(2‑4);在顶层石墨烯(2‑4)和底层石墨烯(2‑2)之间加入电压V(t)。
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