[发明专利]存储单元可靠性的测试方法有效
| 申请号： | 201410418006.0 | 申请日： | 2014-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN105448346B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 牛刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种存储单元可靠性的测试方法，所述存储单元具有开启擦除状态的第一阈值电压和开启编程状态的第二阈值电压，其中，所述存储单元可靠性的测试方法至少包括：预先设定一感知电压；对所述存储单元进行擦除或编程操作，读取所述存储单元的当前电压；比较所述当前电压和所述感知电压，根据比较结果确定所述存储单元的当前工作状态；判断所述存储单元的当前工作状态与其所受的操作是否相符；若是，判定所述存储单元正常工作；若否，则判定所述存储单元失效。本发明能够通过测试存储单元的工作状态，来测试存储单元的可靠性，具有高精确度和较短的编程时间，方法简单，能够快速、精确评估存储器产品的可靠性，同时节省了编程时间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 可靠性 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元可靠性的测试方法，所述存储单元具有开启擦除状态的第一阈值电压和开启编程状态的第二阈值电压，其特征在于，所述存储单元可靠性的测试方法至少包括：预先设定一感知电压；其中，所述感知电压配置为大于所述第一阈值电压、小于所述第二阈值电压，且使所述存储单元处于擦除状态和编程状态之间的中间状态的标准电压；对所述存储单元进行擦除或编程操作，读取所述存储单元的当前电压；比较所述当前电压和所述感知电压，在所述当前电压大于所述感知电压、小于所述第二阈值电压时，所述存储单元的当前工作状态为编程状态；在所述当前电压小于所述感知电压、大于所述第一阈值电压时，所述存储单元的当前工作状态为擦除状态；判断所述存储单元的当前工作状态与其所受的操作是否相符；若是，判定所述存储单元正常工作；若否，则判定所述存储单元失效。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410418006.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
