[发明专利]一种改进硅微通道板表面形貌的方法有效
| 申请号： | 201410419030.6 | 申请日： | 2014-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN104326439A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 王连卫;徐雨薇;徐少辉;朱一平 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;上海欧普泰科技创业有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01J9/12 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 吴泽群 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进硅微通道板表面形貌的方法，其步骤为：(1)在硅微通道板完成刻蚀后，采用激光切割使之形成所需大小的圆形薄片；(2)采用PECVD在硅微通道板的两侧依次淀积上300～500nm的SiO2层和100～200nm的Si3N4层薄膜，双面对称等厚；(3)按照干氧-湿氧-干氧的顺序进行氧化，氧化的温度为900-1100℃，干氧的时间控制在15-20分钟，湿氧的时间控制在40-90分钟；得到改进表面形貌的硅微通道板。本发明具有以下有益效果：解决了采取氧化工艺制作绝缘层，由于表面属于自由端，在氧化过程中由于竞争机制，出现交叉处凸起这种使表面凹凸不平的问题。本发明所采用的氧化方法形成绝缘层的工艺，其成品率可以达到80％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 通道 表面 形貌 方法 | ||
【主权项】：
一种改进硅微通道板表面形貌的方法，其特征在于：其步骤为：(1)在硅微通道板完成刻蚀后，采用激光切割使之形成所需大小圆形薄片；(2)采用PECVD在硅微通道板的两侧依次淀积上300～500nm的SiO2层和100～200nm的Si3N4层薄膜，双面对称等厚；(3)按照干氧‑湿氧‑干氧的顺序进行氧化，氧化的温度为900‑1100℃，干氧的时间控制在15‑20分钟，湿氧的时间控制在40‑90分钟；得到改进表面形貌的硅微通道板。
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