[发明专利]齐纳二极管反熔丝结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410419671.1 | 申请日： | 2014-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN104157629B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 顾祥;吴建伟;洪根深;郑若成 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 总装工程兵科研一所专利服务中心32002 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214035 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及齐纳二极管反熔丝结构及其制造方法。包括衬底、P型重掺杂区、N型重掺杂区、介质层以及金属层，N型重掺杂区在靠近PN结处呈尖角状，介质层上开设的接触孔一和接触孔二，金属层包括金属层一至四，金属层三与金属层四之间有间隙，接触孔一在靠近PN结的一侧方向上呈尖角状，接触孔二呈矩形状。其制造方法包括步骤1)利用离子注入工艺注入P型硅材料；2)进行热过程推结；3)通过光刻工艺对P型重掺杂区进行选择性注入N型杂质形；4)进行PMD淀积；5)通过光刻腐蚀工艺形成接触孔和金属层。本发明利用二极管正向导通电流所产生的大量的热，使金属发生熔通，实现反熔丝功能，结构新颖、功能完善。 | ||
| 搜索关键词： | 齐纳二极管 反熔丝 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
齐纳二极管反熔丝结构，其特征在于：包括衬底（1）、P型重掺杂区（2）、N型重掺杂区（3）、介质层（4）以及金属层（5），所述P型重掺杂区（2）形成在衬底（1）内且位于衬底（1）上部，所述N型重掺杂区（3）形成在P型重掺杂区（2）内且位于P型重掺杂区（2）上部，所述P型重掺杂区（2）同所述N型重掺杂区（3）的界面形成齐纳二极管的PN结，所述N型重掺杂区（3）在靠近PN结处呈尖角状，所述介质层（4）位于衬底（1）上表面，将衬底（1）上表面覆盖，介质层（4）上开设有接触孔一（4‑1）和接触孔二（4‑2），接触孔一（4‑1）与N型重掺杂区（3）通联，接触孔二（4‑2）与P型重掺杂区（2）通联，所述金属层（5）包括将接触孔一（4‑1）填满的金属层一（5‑1）、将接触孔二（4‑2）填满的金属层二（5‑2）、与金属层一（5‑1）通联并堆积在介质层（4）表面的金属层三（5‑3），与金属层二（5‑2）通联并堆积在介质层（4）表面的金属层四（5‑4），金属层三（5‑3）与金属层四（5‑4）之间有间隙，接触孔一（4‑1）在靠近PN结的一侧方向上呈尖角状，接触孔二（4‑2）呈矩形状。
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