[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410419944.2 | 申请日： | 2014-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN104810407B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 新井耕一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/423;H01L21/337 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一实施方式中的半导体器件中，结型场效应晶体管的栅极区域(GR)具有低浓度栅极区域(LGR)和杂质浓度比低浓度栅极区域(LGR)高的高浓度栅极区域(HGR)，且高浓度栅极区域(HGR)内包于低浓度栅极区域(LGR)中。降低结型FET的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包含结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管包括：成为电流通路的第1导电型的沟道区域；与所述第1导电型相反的第2导电型的一对栅极区域，所述一对栅极区域形成为夹持所述沟道区域；以及，源极区域，设置在所述沟道区域的上表面上，所述半导体器件的特征在于，所述一对栅极区域的每一个具有：低浓度栅极区域；以及杂质浓度比所述低浓度栅极区域高的高浓度栅极区域，所述高浓度栅极区域内包于所述低浓度栅极区域，俯视下，关于所述沟道区域的中心线，所述源极区域的外侧边缘位于所述一对栅极区域的所述低浓度栅极区域的内侧边缘之间，所述沟道区域以均匀浓度从所述一对栅极区域之间向所述低浓度栅极区域的底面延伸。
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