[发明专利]抑制刻蚀过程中孔底部出现缺口的方法、孔的形成方法

摘要

本发明提供抑制孔结构刻蚀过程中孔底部出现缺口的方法，以及孔结构的形成方法。其中，该孔结构的形成方法主要包括以下步骤：(1)、提供基底，所述基底包括待蚀刻材料层与粘附在所述待蚀刻材料层下表面的绝缘层；(2)、异向等离子刻蚀所述待蚀刻材料层，以初步形成孔；(3)、在相对较低的工作气压环境下，继续异向等离子刻蚀，以加深所述孔。至少在所述加深所述孔的工艺结束时，所述绝缘层已能透过所述孔而暴露。

主权项

1.利用波希法刻蚀孔结构的方法，包括：执行主刻蚀工艺，以形成孔，所述主刻蚀工艺包括：(a)、等离子刻蚀步骤；(b)、钝化步骤；(c)、交替重复上述等离子刻蚀步骤(a)与钝化步骤(b)；执行过刻蚀工艺，以加深所述孔，所述过刻蚀工艺包括：(d)等离子刻蚀步骤；(e)钝化步骤；(f)交替重复上述等离子刻蚀步骤(d)与钝化步骤(e)；其中，所述过刻蚀工艺对应的等离子刻蚀步骤(d)中反应腔内的工作气压，小于所述主刻蚀工艺对应的等离子刻蚀步骤(a)中反应腔内的工作气压；所述过刻蚀工艺对应的钝化步骤(e)中反应腔内的工作气压，大于所述主刻蚀工艺对应的钝化步骤(b)的工作气压，使得所述过刻蚀工艺对应的钝化步骤(e)中形成的聚合物层厚度大于所述主刻蚀工艺对应的钝化步骤(b)中形成的聚合物层厚度。