[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201410422733.4 申请日: 2014-08-25
公开(公告)号: CN104916671A 公开(公告)日: 2015-09-16
发明(设计)人: 关口秀树 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L29/06
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 杨谦;胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供使耐压提高的半导体装置。半导体装置包括基板、第一导电层、扩散层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层和第三绝缘层。基板具有主面,包括包含半导体元件的内侧区域和其周围的外侧区域。第一导电层设在外侧区域之上,包括第一外侧导电部和第一内侧导电部。扩散层设在外侧区域,包括当向主面投影时在内侧区域与第一外侧导电部间的外侧扩散部和内侧扩散部。第一绝缘层设在第一外侧导电部与外侧区域间,包括外侧绝缘部和当向主面投影时在外侧绝缘部与外侧扩散部间的内侧绝缘部。第二导电层设在外侧区域与第一外侧导电部间,包括内侧绝缘部与第一外侧导电部间的第二外侧导电部、外侧扩散部与第一内侧导电部间的第二内侧导电部和中间导电部。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,具备:第一导电型的基板,具有主面,该基板包括内侧区域和外侧区域,该内侧区域包含半导体元件,该外侧区域当向上述主面投影时设在上述内侧区域的周围;第一导电层,设在上述外侧区域之上,包括第一外侧导电部和第一内侧导电部,该第一内侧导电部当向上述主面投影时设在上述第一外侧导电部与上述内侧区域之间;第二导电型的扩散层,设在上述外侧区域,包括外侧扩散部和内侧扩散部,该外侧扩散部当向上述主面投影时设在上述内侧区域与上述第一外侧导电部之间,该内侧扩散部当向上述主面投影时设在上述内侧区域与上述外侧扩散部之间;第一绝缘层,设在上述第一外侧导电部与上述外侧区域之间,包括外侧绝缘部和内侧绝缘部,该内侧绝缘部当向上述主面投影时设在上述外侧绝缘部与上述外侧扩散部之间;第二导电层,设在上述外侧区域与上述第一外侧导电部之间,包括第二外侧导电部、第二内侧导电部和中间导电部,该第二外侧导电部设在上述内侧绝缘部与上述第一外侧导电部之间,该第二内侧导电部设在上述外侧扩散部与上述第一内侧导电部之间,该中间导电部当向上述主面投影时设在上述第二外侧导电部与上述第二内侧导电部之间;第二绝缘层,设在上述第一导电层与上述扩散层之间、以及上述第一导电层与上述第二导电层之间;以及第三绝缘层,至少一部分设在上述中间导电部与上述外侧区域之间;沿着从上述外侧区域朝向上述第一导电层的第一方向的、上述外侧区域与上述第二外侧导电部之间的第一距离,比沿着上述第一方向的、上述外侧区域与上述第二内侧导电部之间的第二距离长,并且比沿着上述第一方向的、上述外侧区域与上述中间导电部之间的第三距离长。
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