[发明专利]高压LED芯片及其制备方法有效
申请号: | 201410424182.5 | 申请日: | 2014-08-25 |
公开(公告)号: | CN104300069B | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 王冬雷;陈顺利 | 申请(专利权)人: | 大连德豪光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 广东朗乾律师事务所44291 | 代理人: | 杨焕军,江超 |
地址: | 116100 辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 高压LED芯片及其制备方法,所述高压LED芯片包括衬底以及位于衬底表面上彼此相互绝缘独立的M个芯片,形成于每个芯片的P型氮化镓层上的反射层;覆盖所述每个芯片的外延层及反射层表面的绝缘层;P引线电极,N引线电极及PN引线连接电极;平坦化层覆盖于P引线电极、PN引线连接电极和N引线电极的表面上及P引线电极、PN引线连接电极和N引线电极之间的绝缘层表面上,所述平坦化层上设置和所述N引线电极接触孔内的与所述N引线电极连接的N焊盘及和所述P引线电极接触孔内的与所述P引线电极连接的P焊盘。 | ||
搜索关键词: | 高压 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
高压LED芯片,包括衬底以及位于所述衬底表面上彼此相互独立的M个芯片,M≥2,所述每个芯片包括依次生长于所述衬底表面上的N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层,所述N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层构成芯片的外延层,所述每个芯片的P型氮化镓层上形成有反射层;其特征在于,还包括:覆盖所述每个芯片的外延层及反射层表面的绝缘层,所述绝缘层沿芯片周边侧壁与衬底贴合;与第一芯片的反射层电连接的P引线电极;与第M芯片的N型氮化镓层电连接的N引线电极;依次将第i芯片的N型氮化镓层和第i+1芯片的反射层进行串联电连接的PN引线连接电极,i=1,…,M‑1,每两个相互串联的芯片的PN引线连接电极彼此相互独立;平坦化层,所述平坦化层为有机硅胶层,所述有机硅胶层采用固化温度小于200℃、粘度大于400mPa.s的有机硅胶喷涂而成,所述有机硅胶层的厚度为6~10μm,平坦化层覆盖于P引线电极、PN引线连接电极和N引线电极的表面上及P引线电极、PN引线连接电极和N引线电极之间的绝缘层表面上,所述平坦化层沿芯片周边侧壁与绝缘层贴合,每个芯片依次被所述绝缘层和平坦化层完全包裹;沉积于所述平坦化层上并与所述N引线电极连接的N焊盘;沉积于所述平坦化层上并与所述P引线电极连接的P焊盘。
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