[发明专利]纳米氧化亚铜基3D打印用半导体材料及其制备方法

摘要

本发明公开了纳米氧化亚铜基3D打印用半导体材料及其制备方法，具体步骤为将环氧树脂与丙酮混合，加入三乙醇胺，室温搅拌，再依次加入3―氨丙基三甲氧基硅烷、聚乙烯醇颗粒，室温搅拌，然后加入纳米氧化亚铜粉，加热搅拌，冷却至室温，得纳米氧化亚铜基3D打印用半导体材料。其中纳米氧化亚铜粉含量为40～50%，环氧树脂含量10～20%，三乙醇胺含量为10～20%，3―氨丙基三甲氧基硅烷含量为10～20%，聚乙烯醇含量为5～10%，丙酮含量为10～20%。本发明制备的半导体复合材料可在30～40℃的温度范围内进行3D打印且打印成型后的纳米氧化亚铜基半导体材料的稳定性好，载流子迁移率高。

主权项

一种纳米氧化亚铜基3D打印用半导体材料，其特征在于：由下列重量比的原料组成：纳米氧化亚铜粉                 40~50%，环氧树脂                        10~20%，三乙醇胺                        10~20%，3―氨丙基三甲氧基硅烷           10~20%，聚乙烯醇                          5~10%，丙酮                            10~20%。