[发明专利]低功耗SRAM芯片位线的设计方法及电路结构有效
| 申请号： | 201410424284.7 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105448325B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 王旭;吕超 | 申请（专利权）人： | 孤山电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200240 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低功耗SRAM芯片位线的设计方法及电路结构，设计方法包括以下步骤：1)在SRAM芯片位线连接电荷泵电路；2)写操作时，先将位线上需要泄放的电荷收集到电荷泵的若干电容中；3)再利用电荷泵的工作原理，让电荷泵电路获得高电压，将电荷泵收集到的电荷重新转移到位线上。与现有技术相比，本发明具有节省功耗的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 sram 芯片 设计 方法 电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种低功耗SRAM芯片位线的设计方法，其特征在于，所述设计方法基于电荷泵技术，包括：1)SRAM单元位线连接电荷泵电路；2)在写操作时，先将所述SRAM单元位线上需要泄放电荷收集到所述电荷泵电路中；3)写操作完成后，利用电荷泵电路获得高电压，将所述电荷泵电路收集到的泄放电荷重新转移到所述SRAM单元位线上。
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