[发明专利]一种用于功率晶体管的内匹配结构在审

专利信息
申请号: 201410425387.5 申请日: 2014-08-27
公开(公告)号: CN104218029A 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 曾大杰;尹利娟;张耀辉 申请(专利权)人: 昆山华太电子技术有限公司
主分类号: H01L23/66 分类号: H01L23/66;H01L23/64
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 范晴
地址: 215300 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种用于功率晶体管的内匹配结构,包括管芯、设于输入端的输入内匹配结构、设于输出端的输出内匹配结构,在输入内匹配结构或者输出内匹配结构中包括至少两个电容,至少两个电容包括一个主电容与至少一个次电容,用于连接电容与管芯的键合线首先从管芯打到次电容上面,然后键合线从次电容再打到主电容上面。本发明通过次电容的设置,键合线从管芯打到次电容上再从次电容打到主电容上,这就拉长了键合线的长度,换句话说也就拉长了管芯到主电容的距离,从而达到增加电感线电感的目的,在不增加功率晶体管体积有效增加键合线的电感值,从而使得生产处的功率晶体管更适用于低频的应用。
搜索关键词: 一种 用于 功率 晶体管 匹配 结构
【主权项】:
 一种用于功率晶体管的内匹配结构,包括管芯、连接管芯与输入端或者输出端的匹配电容,其特征在于,所述匹配电容包括一个主电容和至少一个电容值接近于0的次电容,键合线从管芯打到次电容,次电容间以及次电容与主电容间通过键合线连接。
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