[发明专利]一种用于功率晶体管的内匹配结构在审
申请号: | 201410425387.5 | 申请日: | 2014-08-27 |
公开(公告)号: | CN104218029A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 曾大杰;尹利娟;张耀辉 | 申请(专利权)人: | 昆山华太电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/66 | 分类号: | H01L23/66;H01L23/64 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴 |
地址: | 215300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于功率晶体管的内匹配结构,包括管芯、设于输入端的输入内匹配结构、设于输出端的输出内匹配结构,在输入内匹配结构或者输出内匹配结构中包括至少两个电容,至少两个电容包括一个主电容与至少一个次电容,用于连接电容与管芯的键合线首先从管芯打到次电容上面,然后键合线从次电容再打到主电容上面。本发明通过次电容的设置,键合线从管芯打到次电容上再从次电容打到主电容上,这就拉长了键合线的长度,换句话说也就拉长了管芯到主电容的距离,从而达到增加电感线电感的目的,在不增加功率晶体管体积有效增加键合线的电感值,从而使得生产处的功率晶体管更适用于低频的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 功率 晶体管 匹配 结构 | ||
【主权项】:
一种用于功率晶体管的内匹配结构,包括管芯、连接管芯与输入端或者输出端的匹配电容,其特征在于,所述匹配电容包括一个主电容和至少一个电容值接近于0的次电容,键合线从管芯打到次电容,次电容间以及次电容与主电容间通过键合线连接。
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