[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410425745.2 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104217938A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 赵波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01J37/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供表面形成有若干栅极结构的衬底，且栅极结构侧壁表面形成有侧墙，相邻侧墙之间的衬底表面具有杂质；将衬底置于溅射刻蚀腔室中，对相邻侧墙之间的衬底表面进行第一步溅射刻蚀处理，第一步溅射刻蚀处理用于第一次去除杂质，第一步溅射刻蚀处理提供第一射频功率以及第一直流偏压；对衬底表面进行第二步溅射刻蚀处理，第二步溅射刻蚀处理用于第二次去除杂质，第二步溅射刻蚀处理提供第二射频功率以及第二直流偏压，且第二射频功率小于第一射频功率，第二直流偏压大于第一直流偏压。本发明使溅射刻蚀工艺过程中的等离子体束的前进方向垂直于衬底表面，刻蚀去除杂质的效果更佳，且减少等离子束对侧墙表面的轰击。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有若干个栅极结构，且栅极结构侧壁表面形成有侧墙，相邻侧墙之间的衬底表面具有杂质；将所述衬底置于溅射刻蚀腔室中，对所述相邻侧墙之间的衬底表面进行第一步溅射刻蚀处理，所述第一步溅射刻蚀处理提供第一射频功率以及第一直流偏压，所述第一步溅射刻蚀处理用于第一次去除所述杂质；对所述相邻侧墙之间的衬底表面进行第二步溅射刻蚀处理，所述第二步溅射刻蚀处理提供第二射频功率以及第二直流偏压，且所述第二射频功率小于第一射频功率，第二直流偏压大于第一直流偏压，所述第二步溅射刻蚀处理用于第二次去除所述杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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