[发明专利]LDMOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201410425848.9 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105448990B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 程勇;蒲贤勇;王海强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种LDMOS晶体管及其形成方法，所述LDMOS晶体管，包括：半导体衬底，半导体衬底具有第一掺杂类型；位于半导体衬底内的若干第一沟槽；位于若干第一沟槽的侧壁和底部暴露的半导体衬底表面内以及相邻第一沟槽之间的半导体衬底表面内的漂移区，所述漂移区具有第二掺杂类型；填充满第一沟槽的第一浅沟槽隔离结构；位于漂移区一侧的半导体衬底内的体区；位于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构横跨覆盖部分所述体区、漂移区和与体区距离最近的一个第一浅沟槽隔离结构的表面；在栅极结构一侧的体区内形成源区；在与体区距离最远的一个第一浅沟槽隔离结构一侧的漂移区内形成漏区。LDMOS晶体管具有较长的导通沟槽的长度。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一掺杂类型；刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底内形成若干第一沟槽；在若干第一沟槽的侧壁和底部暴露的半导体衬底表面内以及相邻第一沟槽之间的半导体衬底表面内形成漂移区，所述漂移区具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；形成漂移区后，在若干第一沟槽中填充隔离材料，形成若干第一浅沟槽隔离结构；在漂移区一侧的半导体衬底内形成体区，所述体区的掺杂类型与漂移区的掺杂类型相反；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨覆盖部分所述体区、漂移区和与体区距离最近的一个第一浅沟槽隔离结构的表面；在所述栅极结构一侧的体区内形成源区；在与体区距离最远的一个第一浅沟槽隔离结构一侧的漂移区内形成漏区。
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